FDP150N10 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
FDP150N10
|
|
حجم فایل
|
70.016
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
10
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
onsemi FDP150N10
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
110W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
69nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
100V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
4760pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
57A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4.5V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
15mΩ@49A,10V
-
Package:
TO-220
-
Manufacturer:
onsemi
